Главная Бухгалтерия в кармане Учет расходов Экономия на кадровиках Налог на прибыль Как увеличить активы Основные средства
Главная ->  Электропитание устройств связи 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108

ниям выходного напряжения Увых- В цепи делителя устанавливается потенциометр. Изменяя положение движка потенциометра, можно регулировать величину выходного напряжения стабилизатора. Изменение окружающей температуры изменяет напряжение па стабилитроне. Величина изменения напряжения стабилитрона зависит от величины его температурного коэффициента (ТКН).

Если ТКН стабилитрона положителен, то с ростом температуры опорное иапряжение возрастает, что уменьшает отрицательный потенциал базы транзистора Ту. Вследствие этого уменьшаются токи базы и коллектора транзистора Ту, увеличиваются токи базы транзисторов Г13, Ti2, Тц, падает напряжение коллектор-эмиттер транзистора Гц и f/вых стабилизатора увеличивается.

Для уменьшения изменений выходного напряжения, связанных с изменением температуры окружающей среды, в схемах предусматривается температурная компенсация.

В схеме рис. 8.10 термокомненсирующими элементами являются диоды или стабилитроны. Д„, включенные в прямом направлении в верхнее плечо делителя. Диоды и стабилитроны, включенные в

+ -о

прямом направлении, имеют

-1-1-J-1-о отрицательный температурный

коэффициент. С ростом температуры уменьшается напряжение на диодах Дк, а напряжение Umi увеличивается, что в результате снижает выходное напряжение, т. е. изменения выходного напряжения, связанные с изменением напряжения стабилитрона Ди противоположны по знаку изменениям выходного напряжения, связанным с изменением напря- жения на компенсирующих диодах Дк. Такая температурная ко.мпенсация возможна, если Л/х ТКН стабилитрона Д1 положителен. Если ТКН стабили-трона отрицателен, в одно из плеч делителя включается тер-мозанисимое сопротивление, ° которое и обеспечивает темпе-Рис 8 13 Схемы сравнения транзистор- рдтурную компенсацию.

ных стабилизаторов:

а) для низких выходных напряжений; Схема сравнения в стаби-

б) с дифференциальным усилителем по- лизаторе (см. рис. 8.10) При-

стояипого тока меняется, если выходное на-

пряжение больше напряжения опорного.

Для получения малых выходных напряжений, а также при широком диапазоне регулировки выходного напряжения применяется

Rn R,




схема рис. 8.13а. В ней источник опорного напряжения подключается к плюсовой шине стабилизатора, а сравнивающий делитель (Rikakz) питается суммарным напряжением и^ых + Уоп- Схема рис. 8.136 используется, если выходное напряжение больше опорного. В этой схеме напряжение нижнего плеча делителя Uru сравнивается с напряжением на сопротивлении Rg, которое приблизительно равно опорному напряжению на стабилитроне Преимущество данной схемы сравнения, по сравнению с ранее рассмотренными, заключается в гом, что здесь компенсируется температурный дрейф напряжений база-эмиттер транзисторов Ту и Г'у. В этой схеме сравнения желательно применять стабилитроны с малым ТКН.

Для определения внутреннего сопротивления п, коэффициента стабилизации Кст и коэффициента сглаживания К- транзисторных стабилизаторов можно воспользоваться следующими выражениями:

для схем транзисторных стабилизаторов, в которых УНТ питается от дополнительного источника рис. 8.126 и если коллекторной нагрузкой усилителя является эмиттерный повторитель рис. 8.12е:

K = \i,KyaU,JUo, (8.13)

П^-\/8рКуа. (8.14)

Если УНТ питается от в.ходного напряжения стабилизатора, коэффициент стабилизации

К„=--. (8.15)

1 +

Внутреннее сопротивление в этом случае определяется из (8.14).

В (8.13) -(8.15) Рр, Sp - коэффициент усиления составного регулирующего транзистора по напряжению и его крутизна; Ку - коэффициент усиления УНТ; а -коэффициент передачи делителя; Гсу - сопротивление коллектора транзистора Гу в схеме с общим эмиттером.

Коэффициент усиления составного транзистора по напряжению tip зависит от количества транзисторов, входящих в составной. Для двойного и тройного составных транзисторов

В выражениях (8.16) цц, щг, ц13 - коэффициенты усиления по напряжению транзисторов, входящих в составной.

Коэффициент усиления транзистора р, определяется из характеристик транзистора при постоянном токе коллектора, как это показано на рис. 8.14.

7-311 193



Крутизна составного регулирующего транзистора Sp: для двойного составного транзистора

SiiS-j22l (И) .

Sii + (11) Sja для тройного составного транзистора

(8.17)

-. (8.18)

S12S11 + 21 (12) SisSii + (11) 21 (12) SisSia

в (8.17), (8.18) h и S - коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером и крутизна соответствующего транзистора, вхо-

21 (И) 21 (12) п^хгхз

в

I-BS

/ I

/ f t

1 f,


Рис. 8.14. Определение коэффициента усиления транзистора р, из характеристик iB = f( BE); tc=/( CE)

дящего В составной. Для определения крутизны можно воспользоваться характеристиками транзистора рис. 8.15.


сдал I


Рис. 8.15. К определению крутизны транзистора 5; 5 = д/с/Д^/вв при t/c=const; UaUu-Uas. при определении 5ib S12, S13; ис1 = Увых-f/cMi при определении Sy (схема рис. 8.10, 8.136); UciUbu-h при определении Sy (схема рис. 8.13а)

Коэффициент усиления УПТ зависит от схемы сравнения: для схемы рис. 8.10

Ky = S\!\+SU, (8.19)



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108

© 2024 Constanta-Kazan.ru
Тел: 8(843)265-47-53, 8(843)265-47-52, Факс: 8(843)211-02-95