Главная Бухгалтерия в кармане Учет расходов Экономия на кадровиках Налог на прибыль Как увеличить активы Основные средства
Главная ->  Прохождение невидимых тепловых лучей 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [ 75 ] 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

Предполагая в первом приближении, что изменение 6 мало, и вынося tg6 за интеграл, после несложных преобразований получаем 6 ~ 10- AptgQ (Га - Ti)/TTt.

Полное отклонение, вызванное зазорами, б^. = Л^б.

В заключение рассмотрим дисперсионные отклоняющие устройства, основанные на смещении в длинноволновую область края полосы поглощения полупроводниковых сред под действием электрического поля. Сдвиг красной границы поглощения в сторону более длинных волн называется эффектом Франца - Келдыша. Он наблюдается во многих полупроводниковых веществах и, в частности, в кристаллах Ge, GaAs, CdS, Hgia, Pblg и др.

Напряженность электрического поля, необходимая для смещения края полосы поглощения, высока. Так, для сдвига полосы поглощения в Si на 15 нм напряженность должна быть порядка 5 . 10* В/см, а для сдвига края полосы поглощения с сульфиде кадмия на 7 нм-10 В/см. При смещении основной границы поглощения изменение показателя преломления в германии и арсениде галлия составляет 2%.

Световой луч, проходя через полупроводник с изменяющимся показателем преломления, отклоняется. Если толщина кристалла d > 2а/Д (а - ширина кристалла), то угол отклонения луча 6 = пАп.

Эффект отклонения луча в полупроводнике проявляется наиболее сильно, если направление распространения света параллельно р-п переходу и луч проходит вблизи р-п перехода перпендикулярно направлению градиента показателя преломления. Для кристалла толщиной 0,5 мм угол отклонения луча доходит до 10°. При этом ширина падающего пучка должна быть 5.I0-* см (равной ширине р-п перехода).

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Бабеико в. С. Оптика телевизионных устройств. Л., Энергия ,.

2. Байбородин Ю. в., Гаража С. А. Электрооптический эффект в кристаллах и его применение в приборостроении. М., Машиностроение , 1967.

3. Борн м., Вольф э. Основы оптики. Пер. с англ. М., Мир , 1970.

4. Вейиберг в. Б., Саттаров д.К. Оптика световодов. М.-Л., Машиностроение , 1969.

5. Волосов д. с, Цывкин м. в. Теория и расчет светооптических систем. М., Искусство , I960.

6. Здор С. е., Широков В. Б. Оптический поиск и распознавание. М., Наука , 1973.

7. Здор с. е. О синтезе поисковых сканирующих систем. - В сб. Современные проблемы кибернетики . М., Наука , 1970.

8. Капани Н. С. Волоконная оптика. Пер. с англ. М., Мир , 1969.

9. Катыс Г. П. Сканирующие фотоэлектрические устройства поиска и слежения. М., Наука , 1964.

Ю. Катыс Г. П. Информационные сканирующие системы. М., Л\аши-ностроение , 1965.

И. Катыс Г. П. Автоматический обзор и поиск в оптическом диапазоне.. М., Наука , 1966.

12. Катыс Г. П. Автоматическое сканирование. М., Машиностроение ,

13. Калитеевский Н. И. Волновая оптика. М., Наука , I97I.

14. Кариженский е. Я., Мирошников м. м. Сканирующие системы для тепловизоров. - Оптико-механическая промышленность , 1970, № 10.

15. Квазиоптика. Избранные доклады на международном симпозиуме. Пер. с англ. и нем. М., Мир , 1966.

16. Криксунов Л. 3. Системы информации с оптическими квантовым генераторами. Киев, Техника , 1970.

17. Куликовская Н. И. и др. Оптические характеристики сканирующих систем тепловизоров. - Оптико-механическая промышленность , 1970, № 10,



18. Левитин И. Б. Фотография в инфракрасных лучах, т., Воениздат

19. Лисица М. П., Бережинсиая Л. И., Валах М. Я. Волоконная оптика. Киев, Техника , 1968.

20. Любимов Ю. В. Аналитическое исследование траекторий развертки оптического изображения и Классификация разверток. - Оптико-механическая промышленность , 1966, № 12.

21. Мирошников М. М., Черняев Ю. С. Тепловидение в медицинских исследованиях. - Оптико-механическая промышленность , 1969, Ms 12.

22. Модуляция и отклонение оптического излучения. М., Наука , 1967. Авт.: Катыс Г. П., Кравцов Н. В., Чирков Л. Е., Коновалов С. М.

23. Мустель Е. Р., Парыгин В. Н. Методы модуляции и сканирования света. М., Наука , 1970.

24. Оптические приборы в машиностроении (справочник). М., Машиностроение , 1974. Авт.: Апенко М. И., Араев И. П., Афанасьев В. А., Ду-рейко F. В., Заказнов Н. П., Романов Д. А., Усов В. С.

25. Свечников С. В. Элементы оптоэлектроники. М., Сов. радио , 1972.

26. Слюсарев Г. Г. Методы расчета оптических систем. М., Машиностроение , 1969.

27. Справочная книга по светотехнике. М., Изд. АН СССР, 1956.

28. Темников Ф. Е. Теория развертывающих систем. М.-Л., Госэнергоиздат, 1963.

29. Якушенков Ю. Г. Оптические системы фотоэлектрических устройств. М., Машиностроение , 1966.

30. Astheimer R. W. Infrared Radiometric. - JOSA , 1959, v. 49.

31. Barnes R. B. Diagnostic Thermography. - Appl. Optics*, 1968, V. 7, № 9.

32. .elsey D. C, Gabriel W. P. Infrared Radiometric. - J. Scient. Instr. , 1963, № 11.

33. Borley C. R., Guildford L. H. A 100 Line Thermal Viewer.- Infгагed Physics*, 1968, V. 8, Ns I.

34. Dubner H. Optical Design for Infrared Missile Seekers. - Ргос. Inst. Radio Engrs. , 1959, v. 47.

35. Feder D. P. Automatic Optical Design. -- Appl. Optics*. 1963, № 2.

36. Geneve R. Introduction a la thermographic medical, - Acta Electro-nica , 1969, V. 12, № 1.

37. Hoiter m. R., Wolfe W. L. Optical-Mechanical Scanning Techniques. - Ргос. Inst. Radio Engrs , 1959, v. 47.

38. Jozwicki R. Optyka Instrumentalna. Warszawa, 1970.

39. Kaniinov 1. P., Turner E. H. Electrooptic Light Modulators. - Ргос. of the 1ЕЕЕ , 1966, v. 54, № Ю.

40. Klein C. A. Thermal Imaging Performance of Passive Infrared Scanners. - 1ЕЕЕ Trans, on Geoscience Electronics*, 1969, v. GE-9, № 3.

41 Scott R. m. Optics for Infrared Systems. - Ргос. Inst. Radio Engrs.*, 1959, V. 47.



Глава 6

ПРИЕМ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

6.1. НАЗНАЧЕНИЕ, КЛАССИФИКАЦИЯ И ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

Приемники излучения являются незаменимыми элементами инфракрасных приборов и предназначены для преобразования энергии оптического излучения в электрическую (или какую-либо другую) энергию, более удобную для непосредственного измерения.

По принципу действия приемники делят на две большие группы: тепловые и фотонные. Тепловые приемники основаны на изменении тех или иных свойств при изменении температуры, образующейся под воздействием падающего лучистого потока, независимо от его спектрального состава. Различают следующие типы тепловых приемников:

- болометры, у которых при изменении температуры меняется электри ческое сопротивление чувствительного элемента;

- термоэлементы, использующие термоэлектрический эффект;

- пироэлектрические приемники, основанные на изменении параметров сегнетоэлектр ика под действием падающего лучистого потока;

- оптико-акустические приемники, в основе которых лежит свойство увеличения объема газа при повышении температуры.

В фотонных приемниках имеет место прямое взаимодействие между падающими фотонами и электронами материала чувствительного элемента. Типы фотонных приемников следующие:

- фотоэлементы и фотоумножители, основанные на внешнем фото эффекте, при котором электроны эмиттируются с поверхности чувствительного слоя под действием падающего лучистого потока;

- фоторезисторы, основанные на внутреннем фотоэффекте, заключающемся в образовании свободных электронов в твердом теле и изменении его электропроводности при поглощении квантов излучения;

- приемники с р-п переходом, которые, в свою очередь, делят иа:

-- вентильные фотоэлементы, состоящие из двух различных контактирующих веществ (металлопроводник, два полупроводника), на границе которых при облучении возникает фотоэлектродвижущая сила; фототек в цепи вентильных фотоэлементов возникает при отсутствии внешнего питающего напряжения;

- фотодиоды - вентильные фотоэлементы, у которых в качестве контактирующих веществ применяют полупроводники с различным типом проводимости; фотодиоды работают с приложенным внешним электрическим напряжением;

- фототранзисторы устройства, подобные фотодиодам, но представляющие собой системы с п р-п или р-п-р переходами и обладающие свойством внутреннего усиления фототока;

-- фотоэлементы с продольным (боковым) фотоэффектом - вентильные фотоэлементы на основе полупроводников с различным типом проводимости, у которых при облучении приконтактной области наряду с фотоэлектродвижущей силой, возникающей между слоями с р- и -электропроводностями, образуется разность потенциалов вдоль р-п перехода.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [ 75 ] 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

© 2024 Constanta-Kazan.ru
Тел: 8(843)265-47-53, 8(843)265-47-52, Факс: 8(843)211-02-95