Главная Бухгалтерия в кармане Учет расходов Экономия на кадровиках Налог на прибыль Как увеличить активы Основные средства
Главная ->  Прохождение невидимых тепловых лучей 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 [ 86 ] 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

Dn<- 19. Спектральные характеристики фоторезисторов иа основе германия, легированного примесями: У - Ge : Си (4,2 К); 2 - Ge : Zn (4,2 К): 3 - Ge : Hg (30 К): 4 - Ge : Au (77 К),

г 3 4 5 Б 7 в 3

15 ZO 30 К мкм

Германий, легированный галлием, оказался удобным материалом для фотоприемников, чувствительных в области 40... 120 мкм. Из такого материала изготовляют приемники с площадью чувствительного слоя 6,25 мм2; ма-лошумящие контакты наносят припоем из 90% индия и 10% галлия. Максимальное значение обнаружительной способности приемника равно 3 i . 10 см Гц1/Вт, постоянная времени 4 . 10- с [21].

д) Фоторезисторы для ближней инфракрасной области спектра. Основными материалами для изготовления промышленных фоторезисторов, чувствительных в ближней инфракрасной области спектра, служат сульфид и селенид кадмия. Чувствительный слой используют в виде монокристаллов, поликристаллических тонких пленок, получаемых испарением в вакууме, толстых пленок, осаждаемых из суспензии, а также в виде таблеток, спрессованных и спеченных из порошкообразного материала. Прессованные фоторезисторы маркируют буквами ФСК, пленочные ФСК-П, или СФ и монокристаллические ФСК-М.

Конструктивная схема фоторезисторов следующая. Пленку (пластинку, таблетку) полупроводникового материала наносят или наклеивают на диэлектрическую подложку; на центральную часть, являющуюся рабочей площадкой, наносят термическим испарением полосы металла, к свободным краям которых подпаивают выводы. Площадь рабочей площадки 0,45... 120 мм2; форма близка к прямоугольной. Для защиты от внешних воздействий поверхность чувствительного элемента покрывают слоем прозрачного лака. Фоторезисторы выпускают без корпуса, в пластмассовом корпусе с выводами в виде штырей или гибких проводников и в металлическом корпусе (герметизированные) для работы в условиях повышенной влажности.

Отличительной особенностью сернисто-кадмиевых фоторезисторов (CdS) является возможность получения больших фототоков порядка нескольких миллиампер. Их световые характеристики близки к линейным. Чувствительность высокая (в среднем около 6 мА/В . лм), интегральная чувствительность достигает значений 3...10 А/лм, темновое сопротивление 10?... 10 Ом, постоянная времени лежит в пределах 1...140 мс. Частотная и спектральная характеристики представлены на рис. 6.20.

Селенисто-кадмиевые фоторезисторы (CdSe) имеют еще более высокую чувствительность (30...600 мА/В i лм), их интегральная чувствительность достигает 15...20 А/лм. Темновое сопротивление около 5 , 10* Ом, постоянная времени не превышает 20 мс, порог чувствительности 10 лм, что на



Параметры промышлеЕ1Е1ых фоторезисторов, чувствительных в ближней инфракрасной области спектра

Площадь чувствительной площадки, мм

Длина волны максимальной чувствительности, мкм

Длинноволновая граница чувствительности, мкм

0,64

0.64

0,64

0,64

0,64

0,64

ФСК-7а

0,64

ФСК-76

0,64

28.8

0.64

57,6

0,64

0.9 0,9 0,9 0,9 0,9 0.9 0.9 0.9 0,9 0,9

Рабочее напряжение, В

Сернисто-кад

220 220 220 220

60 220 220

Селенисто-кад

0,78

1,22

ФСД-М

0,74

1.22

0,78

1,22

ФСД-П

0.78

1,22

0,78

1,22

СФ2-4

0,45...0,85

0,85

5...50

СФ2-8

0.85

СФ2-16

1,8X0,25

0,60

0,85

СФ2-2

0,65

1,3-5

1,25

0,78

СФЗ-1А

0,74

15-50

СФЗ-2А

0,67...0,77

0.85

СФЗ-2Б

0,67...0,77

0,85

0,76

СФЗ-4А

0.67 ...0,77

0,85

СФЗ-4Б

0,67...0,77

0.85

8X5,8

0,4... 1,1

8X5.8

0,4... 1,1

порядок лучше, чем у серн исто-кадмиевых фоторезисторов. Спектральные характеристики даны на рис. 6.21.

Параметры фоторезисторов на основе CdS и CdSe приведены в табл. 6.12, а на рис. 6.22 изображены их эскизы.

Основными шумами фоторезисторов являются токовые и тепловые шумы. Типовая зависимость среднего квадратического значения напряжения шума

от частоты / показана на рис. 6.23. В области низких частот (до / =

= 1000 Гц) преобладает токовый шум, поэтому Uui пропорционально 1 ; в диапазоне частот 1000.. 10000 Гц преобладающим является генерационно-рекомбинационный шум, а при частотах десятки килогерц и больше основными шумами будут тепловые и радиационные. В сводной табл. 6.13 приведены параметры современных фоторезисторов иностранного производства.



Темиовое сопротивление.

Удельная

Темповой ток, мкА

чувствительность.

Постоянная времени, с

Габариты, мм

МОм

мкА/лм.В

>1иевые (CdS)

3,3 3,3 3,3 2,0 5... 10 3,3 0,5 0,1 0,3 1,6

миевые (CdSe)

15 15 30 1

6000 6000 12О0 6000 3000 3000 6000 6000 6000 6000

2,5-10-= 2,5-10-=

4,5X28 4,5X12,5X28

0,9X1,0X6,0

20000

5-10-s

2X8,5X16.5

30000

(3...15)-10-з

5-10-3

22X9

1,5 (f;=15 В)

0,125

6,7X3,2

--

3,4X2,3

15X9X3.5

0,5 (U=15 В)

8X5X2.5

0,5 {U=\5 В)

8X5X2,5

2-10-5

0,01

8-10-

6-10-6

10,3X4,3

2-10-5

0,015

8 10-

1 (t/=20 В)

(1...6)-10-5

8X5,8

5 {U = 2Q В)

(1...6)-10-5

8X5,8

Приемники излучения с р-п переходом. Электронно-дырочный р-п переход возникает в области полупроводника, где состав примеси меняется от акцепторного к донорному типу. Электронно-дырочный переход, образованный на границе двух областей одинакового материала, называют гомогенным, или однородным. Такой переход создают в процессе выращивания кристалла путем изменения состава примеси или диффузией примеси противоположного типа в поверхностный слой легированного полупроводника.

Электронно-дырочный переход может быть создан на границе двух различных полупроводников с противоположным типом электропроводности, например, р (Si)-n (GaAs); такой переход называют гетеропереходом.

Если концентрация акцепторов в р-области равна концентрации доноров в п-области, то электронио-дырочный переход является симметричным. В приемниках излучения чаще всего используют несимметричные переходы, когда степени легирования р- и п-областей различны. Область с более высо-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 [ 86 ] 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

© 2024 Constanta-Kazan.ru
Тел: 8(843)265-47-53, 8(843)265-47-52, Факс: 8(843)211-02-95