Таблица 10-11

Маломощные плоскостные транзисторы общего назначен1я

с

Режим измерения

О

Е- Я

Параметры в схеме с общей базой на низкой частоте

я к S

ig =

я си <u в ч Е

в

о о Q) ЬЙЯ В

В О) О t5

ш о

о е

о о

S щ

43 о

.та

S .

Предельные значения мощности, рассеиваемой коллектором, мет, напряжения коллектора, в, тока коллектора, ма, и диапазон рабочих температур, °С

Габаритные чертежи и расположение выводов

П5А П5Б П5В П5Г П5Д

Ge р-п-р

-2 -2 -2 -2 -2

30 15 15 1 15 1 10 1

0,3 0,3 0,3 0,3 0,3

5.10-3 5.10-3 5-10-3 5-10-3 5-10-3

П6А П6Б П6В П6Г П6Д

П8 П9 -П9А ШО ПИ

Ge р-п-р

-5 -5 -5 -5 -5

Ge р-п-р

Ge п-р-п

П13А

П13Б

Ge р-п-р

П101 niOlA П102 ПЮЗ

Si п-р-п

30 15 15 15 15

0,465

0,465

0,465

5-10-3 6-10-4 6-10-4 6-10-4 6-10-4

>0,93 0,95--0,975 0,97-0,995 0,97-С,995 0,95-0,975

3,3 2,6 2,6 2,6 2,6

>0,9

>0,9

>0,94

>0,97

>0,9

3,3 2

0,97-0,995

18 10

25 мет; -10 в; 30 ма;

-60. . .+50° С

33 33 33 33 12

150 мет; -30 в; 30 ма (в режиме переключения; 100 жа); -60. . . + 100° С (температура коллектора); тепловое сопротивление 0,5° С/мвт

45 мет; -13 е; 45 ма

+5 +5 +5 +5 +5

-5 -5 -5 -5 -5

+5 --5 +5 +5

30 15 15 15 15

0,465

0,465

5-10-3 6-10-4 6-10-4 6-10-4 6-10-4

15 15 10 15 15

0,465

0,465

6,465

5-10-3 6.10-4 6-10-4

>0,9 0,9-С,94 >0.94 >0,94 >0,94

33 12 33 33

>0,92 >0,97 >0,92 >0,95 >0,95

3,3 3,3

150 150

503 503 503 50 3

0,2 0,2 0,465 1.0

>0,9

>0,93 >0,9

3,3 3,3 2

33 33 12 33 33

150 мет; +20 е; 30 ма (в режиме переключения 100 ма); -60 . . .+100° С (температура коллектора); тепловое сопротивление 0,5° С/мвт

150 мет; -15 в; 10 же (в режиме переключения

-30 е и 50 ма) -60 . . . +100° С (температура коллектора); тепловое сопротивление 0,5° С/мвт

150 мет; +10 в (для

П101+20 в); 20 ма; -60 . . .+ 120° С

р-п-р л-р-п

Метка Коллектор

П8-Л11, П13-П15,

При напряжении коллектора -5 е. nimi

В схеме с общим эмиттером на частоте 1000 гц при напряжении коллектора 1 в и токе эмиттера 0,2 ма - для транзисторов П5 и ПШ1А, а для остальных J при напряжении коллектора 1.5 в и токе эмиттера 0,5 ма, При температуре -f 120° С.

Транзисторы типов П5-ПИ и П13-П15 являются германиевыми сплавными, причем серия П8-ПП представляет собой транзисторы п-р-п-типа, а все остальные - р-п-р-типа.

Транзисторы типов П5 предназначены для слуховых аппаратов и обладают наименьшими размерами.

Серия транзисторов П13-П15 появилась в результате усовершенствования транзисторов П6 и предназначена для замены последних.

Транзистор типа П7 предназначен для работы в оконечном каскаде слухового аппарата и имеет такую же конструкцию, как П5.

Транзисторы П8-ПП (п-р-п-типа) в комбинации с транзисторами р-п-р-типа позволяют реализовать ряд

специфических схем: двухтактный каскад без трансформаторов, стабилизаторы напряжения, усилители постоянного тока и др.

Транзисторы .П101-ПЮЗ - кремниевые п-р-п-типа и допускают работу при повышенных (до +120° Q температурах.

Во всех сериях транзисторов имеются специальные типы с пониженным значением коэффициента шума (П5Д, П6Д, П9А, П13Б, П101А), предназначенные для применения во входных каскадах малошумящих усилителей. Уменьшению шумов содействует облегченный режим питания этих каскадов (1/ = 1 1,5 е; /д = 0,2 -f- 0,5 ма).

Основные данные маломощных транзисторов приведены в табл. 10-11.

Таблица 10-12

Высокочастотные плоскостные транзисторы

Класс

Режим измерения

о си ь ч

п. о

Параметры в схеме с общей базой

та о

1 i

rv к

Pi к

га о

а:-5:; л о у

, та й:

о с

с Ч

s-

P} та -

111 li

Й =°-£00. к Ч £

5 я

я к H

Габаритные чертежи и расположение выводов

П401 П402 ГООЗ П403А

р-п-р дрейфовые Ge

-5 -5 -5

>0,94 >0,94 0,94-0,97 0,97

П404 П404А П405 П405А

р-п-р поверхностно-барьерные Ge

-3 -3 -3

р-п-р сплавные Ge

-6 -6 -6

0,5 0,5 0,5 0,5

10 10 20 20

3,93 0,93 0,95-0,95

5 10

>0,95 >0,95 >0,95

6,7 6,7 6,7 6,7

30 60 120 120

3500 1000 500 500

100 мет; -20 в; 10 ма;

-60 . . . . . . +85°С

1700 1700 1500 1500

150 150 150

10 мет;

-5 е;

5 ма; -60 . . . . . +85° С

30 мет; -6 в; 5 ма; -60. . . . . . . +85°С

/7т-пчпз

Ф11,г

Метка

\ .0 D Коллектор

зб к

(оо о)

- -

Г

/7W 7.S

Высокочастотные плоскостные транзисторы

Для усилителей высокой и промежуточной частоты, для гетеродинов, видеоусилителей и быстродействующих импульсных и переключающих схем предназначены специальные серии транзисторов: дрейфовые германиевые транзисторы П401-П403, поверхностно-барьерные германиевые транзисторы П404-П405 и сплавные германиевые транзисторы П12, П406, П407. Все они р-п-р-типа.

Транзисторы П401-П403 дрейфового типа находят применение в высокочастотных каскадах, гетеродинах и преобразователях частоты радиовещательных приемников, в видеоусилителях и широкополосных усилителях промежуточной частоты, а также в импульсных переключающих схемах, хотя здесь невозможность работы при больших (выше I-1,5 е) обратных напряжениях на эмит-териом переходе иногда осложняет их применение.

Поверхностно-барьерные транзисторы П404-П405 представляют особый интерес для переключающих схем с непосредственной связью. Особенностью этих приборов

является весьма малая мощность и низкая электрическая прочность.

Сплавные транзисторы типа П12, П406 и П407

являются удобными приборами для каскадов усиления промежуточной частоты радиовещательных приемников, для гетеродинов и преобразователей частоты. Кроме того, транзисторы П12, П406 и П407 можно применять в импульсных переключающих схемах при длительностях импульсов до 1 мксек.

Их эмиттерный переход допускает подачу обратных напряжений того же порядка, что и коллекторный.

Основные данные высокочастотных плоскостных транзисторов приведены в табл. 10-12.

Мощные германиевые транзисторы

Для мощных каскадов усилителей низкой частоты, преобразователей постоянного тока, стабилизаторов и других устройств, где требуется управлять мощностями от сотен милливатт до десятков ватт, выпускается ие-

Мощные германиевые транзисторы

Таблица 10-13

Тип

Характеристики усилителя мощности класса А

Режим измерения

а

Я га tR О.

&га

5§

предельно допустимые значения

Л

Габаритные чертежи -и расположение выводов

П2А П2Б

ПЗА ПЗБ ПЗВ

П4А П4Б П4В П4Г П4Д

П201 П201А П202 П203

-50 -25

5 10

10 000

2 500

ОЭ ОЭ ОЭ

-25 -25 -25

130 130 130

220 220 220

100 100

17 17

О 1 0.1

0,9 0,9

17 20 25

ОЭ ОЭ ОЭ ОЭ ОЭ

-26 -26 -26 -26 -26

1000 1000 1000 1000 1000

25 25 25 25 25

ОЭ ОЭ ОЭ ОЭ

-15 -22 -28

340 340 240

45 45 100 36 s

15 15 15 15 15

40 40 40 20 s

20 23 20 27 30

1,0 1,0 1.0

21 21 21

0,25

0,35

10 10 10 10 10

25 25 25 20 В

2,5 2,5 2,5 10 В

52 15-402

15-302 302

0,2 0,2

0,25 0,25

-100 -50

0,5 0,4 0,4 0,4 0,4

3,5 3,5 3,5

-50 -50 -50

0,15 0,25 0,45

30 6 30 30 6 30 6 30

203 40 20 20

0,4 4 0,4* 0,4 4 0,4 4

10 10 10 10

-60 -70 -40 -60 -60

-30 -30 -45 -60

1,5 1,5 1,5 1,5

-f50

f+65

-2S-

При напряжении коллектора -Ю в и токе эмиттера 150 ма. = При напряжении коллектора -10 в и токе эмиттера 2 а.

При напряжении коллектора -20 в и токе эмиттера 100 ма.

При напряжении коллектора -20 в (П201 и П201А) и -30 в (П202 и П203).

В схеме двухтактного усилителя класса В.

С дополнительным теплоотводом.

При напряжении коллектора -10 е.