Наибольшее обратное напряжение t/o6p = 40 в для тиристора Д235В и [/ос,1=100 в для тиристора Д235Г. Обратный ток не бо--лее 5 ма.

Ток выключения (при нулевом токе управляющего электрода) /викл 100 т.

Наибольший прямой постоянный ток /пр.макс=2 а, а наибольший ток в импульсе /пр.имп=10 а при длительности импульса не более 10 мсек и среднем токе до 1 а. При единичных импульсах длительностью до 50 мксек допускается амплитуда тока до 30 а.

Остаточное напряжение (при прямом токе 2 а) ост 2 в.

Включающий ток управляющего электрода /у<20 ма. Наибольшая амплитуда импульса тока управляющего электрода 350 ма (при длительности импульса не более 50 мсек). Не допускается подача на управляющий электрод обратного напряжения более I в.

Время включения Твкпб мксек, а время выключения Тбы1<л<35 мксек.

Наибольшая рассеиваемая мощность /макс = 4 вт (при температуре корпуса к = 70°С). При повышении температуры корпуса от 70 до 100° С наибольшая рассеиваемая мощность (в ваттах) определяется по формуле

102-к г маьс = о

3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТИРИСТОРОВ ТИПОВ Д238А-Д238Е

Прямое напряжение (при нулевом токе управляющего электрода) пр50 в для тиристоров Д238А и Д238Г, пр>100 в дтя тиристоров Д238Б и Д238Д, пр>150 в для тиристоров Д238В и Д238Е. Ток утечки не более 30 ма.

Наибольшее обратное напряжение обр=50 в для тиристора Д238Г, обр=100 в для тиристора Д238Д, обр=150 в для тиристора Д238Е. Обратный ток не более 20 ма.

Ток выключения (при нулевом токе управляющего электрода) /выкп<100 ма.

Наибольший прямой постоянный ток /пр.макс=10 а, а наибольший ток в импульсе /пр.имп-100 а при длительности импульса не более 50 мксек и среднем токе не более 0,5 а.

Остаточное напряжение (при прямом токе 10 а) {/ост<2 в.

Включающий ток управляющего электрода /у 150 ма. Наибольшая амплитуда импульса тока управляющего электрода 350 ма. Наибольшее напряжение между управляющим электродом и катодом 5 в.

Время включения ТвклШ мксек, а время выключения Твыкл < 35 мксек.

Наибольшая рассеиваемая мощность /макс =20 вт (при температуре корпуса к=40°С). При повышении температуры корпуса от 40 до 100° С наибольшая рассеиваемая мощность (в ваттах) определяется по формуле

100-,

макс - Q

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие......, . . . 3

Устройство и принцип действия четырехслойных

полупроводниковых приборов ... 4 Вольт-амперные характеристики четырехслойных

приборов .......... 7

Способы включения и выключения приборов . . 9

Схемы устройств с четырехслойными приборами 13

Устройства с динисторами ... 13

Устройства с тиристорами..... 20

Приложения .......... 23

Яков Соломонович Кублановский Схемы на четырехслойных полупроводниковых приборах

Редактор Ф. И. Тарасов Обложка художника А. М. Кувшинникова Техи. редактор Т. Г. Усачева Корректор А. Д. Халанская

Сдано в набор 12/XI 1966 г. Подписано в печать 7/1 1967 г.

Т-01710 Бумага типографская № 2 Формат 84Х1087з5

Усл. печ. л. 1,26 Уч.-нзд. л. 1,62

Тираж 30 ООО экз. Цена 07 коп. Заказ 2703

Издательство .Энергия. Москва. Ж-114. Шлюзовая наб., 10.

Московская типография № 10 Главполиграфпрома Комитета по печати при Совете Министров СССР. Шлюзовая наб., 10.